金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，民华微（上海）电子科技有限公司申请一项名为“一种P型双重注入的快恢复二极管器件结构及制作方法”的专利，公开号CN119947133A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体分立功率器件技术领域的一种P型双重注入的快恢复二极管器件结构及制作方法，快恢复二极管器件结构包括N型衬底，N型衬底包括N+衬底层及形成在N+衬底层上的N‑外延层，在N‑外延层上设置有源区和终端区，终端区内的场限环进行P‑、P+两次P型注入，第二次P型离子注入深度小于第一次P型离子注入深度，第二次P型离子注入浓度大于第一次P型离子注入浓度，第二次P型离子注入面积小于第一次P型离子注入面积，用以提升器件耐压性能；有源区内主结阳极区的P‑与终端区的P‑同时注入，以保持有源区和终端区之间结深齐平，提升器件耐压的均匀性从而提高器件的可靠性和雪崩能力。

天眼查资料显示，民华微（上海）电子科技有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本997.5万人民币。通过天眼查大数据分析，民华微（上海）电子科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界